Váš nákupní košík je prázdný!
Příjem objednávek bez registrace
+420 416 731 365 | |
+420 722 588 988 | |
info@vpcentrum.eu |
Technická podpora
+420 722 588 988 | |
info@vpcentrum.eu |
Zboží zítra doma?
Čas uzávěrky objednávek je v 12:00 hodin. Platí pouze pro zboží s uvedenou dostupností Expedice ihned k odeslání nebo Litoměřice skladem. !!! Jen v pracovních dnech a při volbě PPL, GLS nebo výdejny Zásilkovny na dobírku nebo ONLINE platbě !!! |
Výrobce | Infineon (IRF) |
Montáž | SMD |
Pouzdro | DPAK |
Ztrátový výkon | 130W |
Napětí drain-source | 55V |
Typ tranzistoru | N-MOSFET |
Odpor v sepnutém stavu | 8mΩ |
Napětí gate-source | ±16V |
Náboj hradla | 44nC |
Polarizace | unipolární |
Technologie | HEXFET® |
Vlastností polovodičových součástek | logic level |
Proud drainu | 89A |
Napětí | 55V |
Pouzdro | DPAK |
Proud | Ostatní |
Typ tranzistoru | N-mosfet |
Výkon (W) | 130W |
Zde si můžete stáhnout soubory k produktu IRLR3705ZPBF Tranzistor N-MOSFET unipolární HEXFET 55V 89A 130W DPAK:
1. | Technická dokumentace (PDF) |