Váš nákupní košík je prázdný!
Příjem objednávek bez registrace
+420 416 731 365 | |
+420 722 588 988 | |
info@vpcentrum.eu |
Technická podpora
+420 722 588 988 | |
info@vpcentrum.eu |
Zboží zítra doma?
Čas uzávěrky objednávek je v 12:00 hodin. Platí pouze pro zboží s uvedenou dostupností Expedice ihned k odeslání nebo Litoměřice skladem. !!! Jen v pracovních dnech a při volbě PPL, GLS nebo výdejny Zásilkovny na dobírku nebo ONLINE platbě !!! |
Výrobce | INFINEON TECHNOLOGIES |
Typ tranzistoru | N-MOSFET |
Technologie | CoolMOS™ |
Polarizace | unipolární |
Napětí drain-source | 650V |
Proud drainu | 6A |
Ztrátový výkon | 62.5W |
Pouzdro | PG-TO262-3 |
Napětí gate-source | ±20V |
Odpor v sepnutém stavu | 0.66Ω |
Montáž | THT |
Druh kanálu | obohacený |
Montáž | Ostatní |
Napětí | 650V |
Pouzdro | Ostatní |
Proud | 6A |
Typ tranzistoru | N-mosfet |
Výkon (W) | Ostatní |
Zde si můžete stáhnout soubory k produktu IPI65R660CFDXKSA1 Tranzistor: N-MOSFET 650V 6A 62,5W PG-TO262-3 CoolMOS™:
1. | Technická dokumentace (PDF) |