Váš nákupní košík je prázdný!
Příjem objednávek bez registrace
+420 416 731 365 | |
+420 722 588 988 | |
info@vpcentrum.eu |
Technická podpora
+420 722 588 988 | |
info@vpcentrum.eu |
Zboží zítra doma?
Čas uzávěrky objednávek je v 12:00 hodin. Platí pouze pro zboží s uvedenou dostupností Expedice ihned k odeslání nebo Litoměřice skladem. !!! Jen v pracovních dnech a při volbě PPL, GLS nebo výdejny Zásilkovny na dobírku nebo ONLINE platbě !!! |
Výrobce | INFINEON TECHNOLOGIES |
Typ tranzistoru | N/P-MOSFET |
Technologie | SIPMOS™ |
Polarizace | unipolární |
Napětí drain-source | 60/-60V |
Proud drainu | 3/-2A |
Ztrátový výkon | 2W |
Pouzdro | PG-DSO-8 |
Napětí gate-source | ±20V |
Odpor v sepnutém stavu | 90/22mΩ |
Montáž | SMD |
Napětí | 60V |
Pouzdro | SO8 |
Proud | 2A |
Typ tranzistoru | P-mosfet |
Výkon (W) | 2W |
Zde si můžete stáhnout soubory k produktu BSO612CVGHUMA1 Tranzistor: N/P-MOSFET 60/-60V 3/-2A 2W PG-DSO-8,SO8 Ugs: ±20V:
1. | Technická dokumentace (PDF) |