Váš nákupní košík je prázdný!
Příjem objednávek bez registrace
+420 416 731 365 | |
+420 722 588 988 | |
info@vpcentrum.eu |
Technická podpora
+420 722 588 988 | |
info@vpcentrum.eu |
Zboží zítra doma?
Čas uzávěrky objednávek je v 12:00 hodin. Platí pouze pro zboží s uvedenou dostupností Expedice ihned k odeslání nebo Litoměřice skladem. !!! Jen v pracovních dnech a při volbě PPL, GLS nebo výdejny Zásilkovny na dobírku nebo ONLINE platbě !!! |
Výrobce | NEXPERIA |
Montáž | SMD |
Pouzdro | SO8 |
Druh balení | páska |
Druh balení | role |
Ztrátový výkon | 1W |
Náboj hradla | 30/25nC |
Polarizace | unipolární |
Proud drainu | 3.5/2.5A |
Druh kanálu | obohacený |
Napětí drain-source | 30V |
Typ tranzistoru | N/P-MOSFET |
Odpor v sepnutém stavu | 100/250mΩ |
Napětí gate-source | ±20V |
Napětí | 30V |
Pouzdro | Ostatní |
Proud | Ostatní |
Typ tranzistoru | P-mosfet |
Výkon (W) | Ostatní |
Zde si můžete stáhnout soubory k produktu PHC21025.118 Tranzistor: N/P-MOSFET unipolární 30V 3,5/2,5A 1W SO8:
1. | Technická dokumentace (PDF) |