Váš nákupní košík je prázdný!
Příjem objednávek bez registrace
+420 416 731 365 | |
+420 722 588 988 | |
info@vpcentrum.eu |
Technická podpora
+420 722 588 988 | |
info@vpcentrum.eu |
Zboží zítra doma?
Čas uzávěrky objednávek je v 12:00 hodin. Platí pouze pro zboží s uvedenou dostupností Expedice ihned k odeslání nebo Litoměřice skladem. !!! Jen v pracovních dnech a při volbě PPL, GLS nebo výdejny Zásilkovny na dobírku nebo ONLINE platbě !!! |
před 12 dny IRFP250N N MOSFET 200V/30A/214W/75mohm TO247 |
|
před 12 dny IRL3803 N MOSFET 30V/140A/200W 0,006R TO220AB |
Výrobce | IXYS |
Typ modulu | tranzistorový |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor |
Napětí drain-source | 1.2kV |
Proud drainu | 32A |
Pouzdro | SOT227B |
Montáž | přišroubováním |
Elektrická montáž | přišroubováním |
Polarizace | unipolární |
Odpor v sepnutém stavu | 310mΩ |
Impulsní proud kolektoru | 100A |
Technologie | HiPerFET™ |
Technologie | Polar™ |
Ztrátový výkon | 1000W |
Druh balení | volně |
Náboj hradla | 360nC |
Doba zotavení | 300ns |
Druh kanálu | obohacený |
Napětí gate-source | ±40V |
Automobil | Ostatní |
Montáž | Ostatní |
Napětí | 1200V |
Pouzdro | Ostatní |
Proud | 32A |
Typ tranzistoru | Ostatní |
Výkon (W) | Ostatní |
Zde si můžete stáhnout soubory k produktu Modul jeden tranzistor 1,2kV 32A SOT227B Ugs: ±40V Idm: 100A:
1. | Technická dokumentace (PDF) |