Váš nákupní košík je prázdný!
Příjem objednávek bez registrace
+420 416 731 365 | |
+420 722 588 988 | |
info@vpcentrum.eu |
Technická podpora
+420 722 588 988 | |
info@vpcentrum.eu |
Zboží zítra doma?
Čas uzávěrky objednávek je v 12:00 hodin. Platí pouze pro zboží s uvedenou dostupností Expedice ihned k odeslání nebo Litoměřice skladem. !!! Jen v pracovních dnech a při volbě PPL, GLS nebo výdejny Zásilkovny na dobírku nebo ONLINE platbě !!! |
před 11 dny IRFP250N N MOSFET 200V/30A/214W/75mohm TO247 |
|
před 11 dny IRL3803 N MOSFET 30V/140A/200W 0,006R TO220AB |
Výrobce | IXYS |
Typ modulu | tranzistorový |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor |
Napětí drain-source | 55V |
Proud drainu | 550A |
Pouzdro | SOT227B |
Montáž | přišroubováním |
Elektrická montáž | přišroubováním |
Polarizace | unipolární |
Odpor v sepnutém stavu | 1.3mΩ |
Technologie | GigaMOS™ |
Technologie | TrenchT2™ |
Impulsní proud kolektoru | 1.65kA |
Ztrátový výkon | 940W |
Náboj hradla | 595nC |
Druh kanálu | obohacený |
Doba zotavení | 100ns |
Napětí gate-source | ±30V |
Montáž | Ostatní |
Napětí | 55V |
Pouzdro | Ostatní |
Proud | Ostatní |
Typ tranzistoru | Ostatní |
Výkon (W) | Ostatní |
Zde si můžete stáhnout soubory k produktu Modul jeden tranzistor 55V 550A SOT227B Ugs: ±30V Idm: 1,65kA:
1. | Technická dokumentace (PDF) |