Váš nákupní košík je prázdný!
Příjem objednávek bez registrace
+420 416 731 365 | |
+420 722 588 988 | |
info@vpcentrum.eu |
Technická podpora
+420 722 588 988 | |
info@vpcentrum.eu |
Zboží zítra doma?
Čas uzávěrky objednávek je v 12:00 hodin. Platí pouze pro zboží s uvedenou dostupností Expedice ihned k odeslání nebo Litoměřice skladem. !!! Jen v pracovních dnech a při volbě PPL, GLS nebo výdejny Zásilkovny na dobírku nebo ONLINE platbě !!! |
Výrobce | INFINEON TECHNOLOGIES |
Typ tranzistoru | N-MOSFET |
Technologie | OptiMOS™ |
Polarizace | unipolární |
Napětí drain-source | 60V |
Proud drainu | 180A |
Ztrátový výkon | 300W |
Pouzdro | PG-TO263-7 |
Napětí gate-source | ±20V |
Odpor v sepnutém stavu | 1mΩ |
Montáž | SMD |
Druh kanálu | obohacený |
Napětí | 60V |
Pouzdro | TO263 |
Proud | 180A |
Typ tranzistoru | N-mosfet |
Výkon (W) | 300W |
Zde si můžete stáhnout soubory k produktu IPB010N06NATMA1 Tranzistor: N-MOSFET unipolární 60V 180A 300W PG-TO263-7:
1. | Technická dokumentace (PDF) |