Dotaz na produkt

Jméno a Příjmení
Email
Dotaz k produktu
* Odesláním dotazu souhlasíte se zasláním cenové nabídky.

 

Hotline

Příjem objednávek bez registrace

TEL: +420 416 731 365
MOBIL: +420 722 588 988
E-mail: info@vpcentrum.eu

Technická podpora

MOBILE: +420 722 588 988
E-mail: info@vpcentrum.eu

 

Zboží zítra doma?

Čas uzávěrky objednávek je v 14:00 hodin.

Platí pouze pro zboží s uvedenou dostupností Expedice ihned k odeslání nebo Litoměřice skladem. !!! Jen v pracovních dnech a při volbě PPL na dobírku !!!

 

Stav Vaší objednávky
E-mail:
Č. obj:

 

Přeji si zasílat novinky emailem i
Pokud si nepřejete nadále získávat novinky z našeho webu napište svůj mail do formuláře, pokud se Vaše mailová adresa nachází v naší databází tlačítko vložit se změní na odebrat.

IPB083N10N3GATMA1 Tranzistor: N-MOSFET unipolární 100V 80A 125W Ugs: ±20V

IPB083N10N3GATMA1 Tranzistor: N-MOSFET unipolární 100V 80A 125W Ugs: ±20V
Objednací číslo: IPB083N10N3GATMA1
Cena včetně DPH: 43 Kč
Cena bez DPH: 36 Kč

Aktuální dodací termíny pro zboží IPB083N10N3GATMA1 Tranzistor: N-MOSFET unipolární 100V 80A 125W Ugs: ±20V jsou následující:

Osobní odběr v Litoměřicích v kamenné prodejně:20. 11. 2017
Přepravní služba (GEIS, PPL, Balík do ruky, Balík na poštu):21. 11. 2017
Osobní odběr v ČR (Zásilkovna, Uloženka Praha 9):20. 11. 2017
Osobní odběr v ČR (Zásilkovna, Uloženka, GeisPoint, DPD Parcel):21. 11. 2017
Osobní odběr v SK (Zásilkovna, Uloženka, GeisPoint, DPD Parcel):22. 11. 2017

Uvedené termíny platí, pokud objednáte toto zboží do 9:50 hod!

Expedice: 2 dny
Centrální sklad: více jak 500 kusů do 2 dnů
Litoměřice: více jak 500 kusů do 2 dnů
Výdejní místo (1779): 0–2 dny
Tranzistor: N-MOSFET unipolární 100V 80A 125W OptiMOS™ 3
Typ tranzistoruN-MOSFET
Polarizaceunipolární
Napětí drain-source100V
Proud drainu80A
Výkon125W
PouzdroD2PAK
PouzdroPG-TO263-3
Napětí gate-source±20V
Odpor v sepnutém stavu8.3mΩ
MontážSMD
TechnologieOptiMOS™ 3
VýrobceINFINEON TECHNOLOGIES
Napětí 100V   
Pouzdro D2PAK   
Proud 80A   
Typ tranzistoru N-mosfet   
Výkon (W) 125W   


Zde si můžete stáhnout soubory k produktu IPB083N10N3GATMA1 Tranzistor: N-MOSFET unipolární 100V 80A 125W Ugs: ±20V:

1.Technická dokumentace (PDF)


Potřebujete poradit s výběrem? Zanechte nám kontakt a my se Vám ozveme.
E-mail:
Telefon:
* Odesláním dotazu souhlasíte se zasláním cenové nabídky.
Používá se opensource systém OpenCart CZ překlad mival
VP Centrum elektronika © 2017