Váš nákupní košík je prázdný!
Příjem objednávek bez registrace
+420 416 731 365 | |
+420 722 588 988 | |
info@vpcentrum.eu |
Technická podpora
+420 722 588 988 | |
info@vpcentrum.eu |
Zboží zítra doma?
Čas uzávěrky objednávek je v 12:00 hodin. Platí pouze pro zboží s uvedenou dostupností Expedice ihned k odeslání nebo Litoměřice skladem. !!! Jen v pracovních dnech a při volbě PPL, GLS nebo výdejny Zásilkovny na dobírku nebo ONLINE platbě !!! |
Výrobce | INFINEON TECHNOLOGIES |
Pouzdro | PG-TO252-3 |
Montáž | SMD |
Ztrátový výkon | 13W |
Náboj hradla | 17nC |
Polarizace | unipolární |
Technologie | CoolMOS™ P7 |
Vlastností polovodičových součástek | ESD protected gate |
Proud drainu | 1A |
Druh kanálu | obohacený |
Napětí drain-source | 800V |
Typ tranzistoru | N-MOSFET |
Napětí gate-source | ±20V |
Odpor v sepnutém stavu | 4.5Ω |
Napětí | 800V |
Pouzdro | Ostatní |
Proud | 1A |
Typ tranzistoru | N-mosfet |
Výkon (W) | Ostatní |
Zde si můžete stáhnout soubory k produktu IPD80R4K5P7 Tranzistor: N-MOSFET unipolární 800V 1A 13W PG-TO252-3:
1. | Technická dokumentace (PDF) |