Váš nákupní košík je prázdný!
Příjem objednávek bez registrace
+420 416 731 365 | |
+420 722 588 988 | |
info@vpcentrum.eu |
Technická podpora
+420 722 588 988 | |
info@vpcentrum.eu |
Zboží zítra doma?
Čas uzávěrky objednávek je v 12:00 hodin. Platí pouze pro zboží s uvedenou dostupností Expedice ihned k odeslání nebo Litoměřice skladem. !!! Jen v pracovních dnech a při volbě PPL, GLS nebo výdejny Zásilkovny na dobírku nebo ONLINE platbě !!! |
Typ tranzistoru | N-MOSFET |
Polarizace | unipolární |
Napětí drain-source | 40V |
Proud drainu | 65A |
Výkon | 107W |
Pouzdro | DPAK |
Napětí gate-source | ±20V |
Odpor v sepnutém stavu | 7.8mΩ |
Montáž | SMD |
Náboj hradla | 39nC |
Druh balení | páska |
Druh balení | role |
Vlastností polovodičových součástek | ESD protected gate |
Výrobce | TOSHIBA |
Montáž | Ostatní |
Napětí | 40V |
Pouzdro | Ostatní |
Proud | Ostatní |
Typ tranzistoru | Ostatní |
Výkon (W) | Ostatní |
Zde si můžete stáhnout soubory k produktu TK65S04N1L Tranzistor: N-MOSFET unipolární ESD protected gate 40V 65A:
1. | Technická dokumentace (PDF) |