Váš nákupní košík je prázdný!
Příjem objednávek bez registrace
+420 416 731 365 | |
+420 722 588 988 | |
info@vpcentrum.eu |
Technická podpora
+420 722 588 988 | |
info@vpcentrum.eu |
Zboží zítra doma?
Čas uzávěrky objednávek je v 12:00 hodin. Platí pouze pro zboží s uvedenou dostupností Expedice ihned k odeslání nebo Litoměřice skladem. !!! Jen v pracovních dnech a při volbě PPL, GLS nebo výdejny Zásilkovny na dobírku nebo ONLINE platbě !!! |
Výrobce | INFINEON TECHNOLOGIES |
Montáž | THT |
Pouzdro | IPAK |
Ztrátový výkon | 63W |
Druh balení | tuba |
Polarizace | unipolární |
Technologie | CoolMOS™ CE |
Proud drainu | 3.9A |
Druh kanálu | obohacený |
Napětí drain-source | 800V |
Typ tranzistoru | N-MOSFET |
Odpor v sepnutém stavu | 1400mΩ |
Napětí gate-source | ±20V |
Náboj hradla | 23nC |
Montáž | Ostatní |
Napětí | 800V |
Pouzdro | Ostatní |
Proud | 3.9A |
Typ tranzistoru | N-mosfet |
Výkon (W) | Ostatní |
Zde si můžete stáhnout soubory k produktu IPU80R1K4CEBKMA1 Tranzistor: N-MOSFET unipolární 800V 3,9A 63W PG-TO251-3:
1. | Technická dokumentace (PDF) |