Váš nákupní košík je prázdný!
Příjem objednávek bez registrace
+420 416 731 365 | |
+420 722 588 988 | |
info@vpcentrum.eu |
Technická podpora
+420 722 588 988 | |
info@vpcentrum.eu |
Zboží zítra doma?
Čas uzávěrky objednávek je v 12:00 hodin. Platí pouze pro zboží s uvedenou dostupností Expedice ihned k odeslání nebo Litoměřice skladem. !!! Jen v pracovních dnech a při volbě PPL, GLS nebo výdejny Zásilkovny na dobírku nebo ONLINE platbě !!! |
Výrobce | ST MICROELECTRONICS |
Montáž | THT |
Ztrátový výkon | 110W |
Polarizace | unipolární |
Technologie | MDmesh™ |
Vlastností polovodičových součástek | ESD protected gate |
Proud drainu | 8A |
Napětí drain-source | 650V |
Typ tranzistoru | N-MOSFET |
Druh balení | tuba |
Pouzdro | TO247 |
Odpor v sepnutém stavu | 255mΩ |
Napětí gate-source | ±25V |
Montáž | Ostatní |
Napětí | 650V |
Pouzdro | TO247 |
Proud | 8A |
Typ tranzistoru | N-mosfet |
Výkon (W) | Ostatní |
Zde si můžete stáhnout soubory k produktu STW18N60M2 Tranzistor: N-MOSFET unipolární 650V 8A 110W TO247:
1. | Technická dokumentace (PDF) |