Váš nákupní košík je prázdný!
Příjem objednávek bez registrace
+420 416 731 365 | |
+420 722 588 988 | |
info@vpcentrum.eu |
Technická podpora
+420 722 588 988 | |
info@vpcentrum.eu |
Zboží zítra doma?
Čas uzávěrky objednávek je v 12:00 hodin. Platí pouze pro zboží s uvedenou dostupností Expedice ihned k odeslání nebo Litoměřice skladem. !!! Jen v pracovních dnech a při volbě PPL, GLS nebo výdejny Zásilkovny na dobírku nebo ONLINE platbě !!! |
Výrobce | STMicroelectronics |
Typ tranzistoru | N-MOSFET |
Technologie | SuperMesh™ |
Polarizace | unipolární |
Napětí drain-source | 600V |
Proud drainu | 12A |
Ztrátový výkon | 150W |
Pouzdro | I2PAK |
Napětí gate-source | ±25V |
Odpor v sepnutém stavu | 190mΩ |
Montáž | THT |
Druh balení | tuba |
Druh kanálu | obohacený |
Vlastností polovodičových součástek | ESD protected gate |
Napětí | 600V |
Pouzdro | Ostatní |
Proud | Ostatní |
Typ tranzistoru | N-mosfet |
Výkon (W) | Ostatní |
Zde si můžete stáhnout soubory k produktu STI24N60M2 Tranzistor: N-MOSFET unipolární 600V 112A 150W I2PAK:
1. | Technická dokumentace (PDF) |