Váš nákupní košík je prázdný!
Příjem objednávek bez registrace
+420 416 731 365 | |
+420 722 588 988 | |
info@vpcentrum.eu |
Technická podpora
+420 722 588 988 | |
info@vpcentrum.eu |
Zboží zítra doma?
Čas uzávěrky objednávek je v 12:00 hodin. Platí pouze pro zboží s uvedenou dostupností Expedice ihned k odeslání nebo Litoměřice skladem. !!! Jen v pracovních dnech a při volbě PPL, GLS nebo výdejny Zásilkovny na dobírku nebo ONLINE platbě !!! |
Typ tranzistoru | N/P-MOSFET |
Technologie | HEXFET® |
Polarizace | unipolární |
Napětí drain-source | 20/-20V |
Proud drainu | 6.6/-5.3A |
Výkon | 2W |
Pouzdro | SO8 |
Napětí gate-source | ±12V |
Odpor v sepnutém stavu | 29/58mΩ |
Montáž | SMD |
Náboj hradla | 18/19nC |
Výrobce | Infineon (IRF) |
Napětí | 20V |
Pouzdro | SO8 |
Proud | 6.6A |
Typ tranzistoru | P-mosfet |
Výkon (W) | 2W |
Zde si můžete stáhnout soubory k produktu IRF7317PBF Tranzistor N/P-MOSFET x2 unipolární HEXFET 20V 6,6A 2W SO8:
1. | Technická dokumentace (PDF) |