Váš nákupní košík je prázdný!
Příjem objednávek bez registrace
+420 416 731 365 | |
+420 722 588 988 | |
info@vpcentrum.eu |
Technická podpora
+420 722 588 988 | |
info@vpcentrum.eu |
Zboží zítra doma?
Čas uzávěrky objednávek je v 12:00 hodin. Platí pouze pro zboží s uvedenou dostupností Expedice ihned k odeslání nebo Litoměřice skladem. !!! Jen v pracovních dnech a při volbě PPL, GLS nebo výdejny Zásilkovny na dobírku nebo ONLINE platbě !!! |
Výrobce | ON SEMICONDUCTOR |
Typ tranzistoru | N-MOSFET |
Technologie | QFET® |
Polarizace | unipolární |
Napětí drain-source | 600V |
Proud drainu | 0.12A |
Ztrátový výkon | 2.1W |
Pouzdro | SOT223 |
Napětí gate-source | ±30V |
Odpor v sepnutém stavu | 11.5Ω |
Montáž | SMD |
Náboj hradla | 6.2nC |
Druh balení | páska |
Druh balení | role |
Druh kanálu | obohacený |
Automobil | Ostatní |
Montáž | Ostatní |
Napětí | 600V |
Pouzdro | SOT223 |
Proud | 120mA |
Typ tranzistoru | N-mosfet |
Výkon (W) | Ostatní |
Zde si můžete stáhnout soubory k produktu FQT1N60CTF-WS Tranzistor: N-MOSFET unipolární 600V 120mA 2,1W SOT223 QFET®:
1. | Technická dokumentace (PDF) |