Váš nákupní košík je prázdný!
Příjem objednávek bez registrace
+420 416 731 365 | |
+420 722 588 988 | |
info@vpcentrum.eu |
Technická podpora
+420 722 588 988 | |
info@vpcentrum.eu |
Zboží zítra doma?
Čas uzávěrky objednávek je v 12:00 hodin. Platí pouze pro zboží s uvedenou dostupností Expedice ihned k odeslání nebo Litoměřice skladem. !!! Jen v pracovních dnech a při volbě PPL, GLS nebo výdejny Zásilkovny na dobírku nebo ONLINE platbě !!! |
Typ tranzistoru | N-MOSFET |
Polarizace | unipolární |
Napětí drain-source | 30V |
Proud drainu | 100A |
Ztrátový výkon | 97W |
Pouzdro | SOT669 |
Napětí gate-source | ±20V |
Odpor v sepnutém stavu | 3.3mΩ |
Montáž | SMD |
Náboj hradla | 7.5nC |
Druh kanálu | obohacený |
Výrobce | NEXPERIA |
Montáž | Ostatní |
Napětí | 30V |
Pouzdro | Ostatní |
Proud | 100A |
Typ tranzistoru | NPN |
Výkon (W) | Ostatní |
Zde si můžete stáhnout soubory k produktu PSMN2R0-30YL Tranzistor N-FET, TrenchMOS unipolární 30V 100A SOT669:
1. | Technická dokumentace (PDF) |