Váš nákupní košík je prázdný!
Příjem objednávek bez registrace
+420 416 731 365 | |
+420 722 588 988 | |
info@vpcentrum.eu |
Technická podpora
+420 722 588 988 | |
info@vpcentrum.eu |
Zboží zítra doma?
Čas uzávěrky objednávek je v 12:00 hodin. Platí pouze pro zboží s uvedenou dostupností Expedice ihned k odeslání nebo Litoměřice skladem. !!! Jen v pracovních dnech a při volbě PPL, GLS nebo výdejny Zásilkovny na dobírku nebo ONLINE platbě !!! |
Výrobce | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Typ tranzistoru | N-MOSFET |
Polarizace | unipolární |
Napětí drain-source | 250V |
Proud drainu | 316mA |
Impulsní proud kolektoru | 1.5A |
Ztrátový výkon | 1.6W |
Pouzdro | SOT89-3 |
Napětí gate-source | ±20V |
Odpor v sepnutém stavu | 7Ω |
Montáž | SMD |
Druh balení | páska |
Druh balení | role |
Druh kanálu | obohacený |
Napětí | 250V |
Pouzdro | SOT89 |
Proud | 1.2A |
Typ tranzistoru | N-mosfet |
Výkon (W) | Ostatní |
Zde si můžete stáhnout soubory k produktu TN5325N8-G Transistor N-MOSFET 250V 1.2A 1.6W SOT89-3 Channel enhanced:
1. | Technická dokumentace (PDF) |