Váš nákupní košík je prázdný!
Příjem objednávek bez registrace
+420 416 731 365 | |
+420 722 588 988 | |
info@vpcentrum.eu |
Technická podpora
+420 722 588 988 | |
info@vpcentrum.eu |
Zboží zítra doma?
Čas uzávěrky objednávek je v 12:00 hodin. Platí pouze pro zboží s uvedenou dostupností Expedice ihned k odeslání nebo Litoměřice skladem. !!! Jen v pracovních dnech a při volbě PPL, GLS nebo výdejny Zásilkovny na dobírku nebo ONLINE platbě !!! |
před 9 dny TL081 OZ J-FET DIL8 |
|
před 14 dny 2SK170 N FET 40V/20mA 0,4W TO92 (2SK163) |
Výrobce | IXYS |
Technologie | HiPerFET™ |
Technologie | Polar™ |
Polarizace | unipolární |
Napětí drain-source | 800V |
Proud drainu | 39A |
Impulsní proud kolektoru | 100A |
Ztrátový výkon | 694W |
Pouzdro | SOT227B |
Napětí gate-source | ±30V |
Odpor v sepnutém stavu | 190mΩ |
Náboj hradla | 200nC |
Druh kanálu | obohacený |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor |
Doba zotavení | 250ns |
Elektrická montáž | přišroubováním |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Typ modulu | tranzistorový MOSFET |
Automobil | Ostatní |
Montáž | Ostatní |
Napětí | 800V |
Pouzdro | Ostatní |
Proud | 100A |
Typ tranzistoru | Ostatní |
Výkon (W) | Ostatní |
Zde si můžete stáhnout soubory k produktu Modul jeden tranzistor 800V 39A SOT227B Ugs: ±30V Idm: 100A:
1. | Technická dokumentace (PDF) |