Zboží označené "SKLADEM" v Litoměřicích objednané do 12:00 expedujeme ještě ten samý den.

 

Dotaz na produkt

Jméno a Příjmení
Email
Dotaz k produktu
* Odesláním dotazu souhlasíte se zasláním cenové nabídky.
Jak zpracováváme osobní údaje?

Doporučení tohoto produktu

Vaše jméno
Váš email
Email příjemce
Zpráva
Jak zpracováváme osobní údaje?

 

Hotline

Příjem objednávek bez registrace

TEL: +420 416 731 365
MOBIL: +420 722 588 988
E-mail: info@vpcentrum.eu

Technická podpora

MOBILE: +420 722 588 988
E-mail: info@vpcentrum.eu

 

Zboží zítra doma?

Čas uzávěrky objednávek je v 12:00 hodin.

Platí pouze pro zboží s uvedenou dostupností Expedice ihned k odeslání nebo Litoměřice skladem. !!! Jen v pracovních dnech a při volbě PPL, GLS nebo výdejny Zásilkovny na dobírku nebo ONLINE platbě !!!

Poslední objednávky

 

Stav Vaší objednávky
E-mail:
Č. obj:

 

Přeji si zasílat novinky emailem i
Pokud si nepřejete nadále získávat novinky z našeho webu napište svůj mail do formuláře, pokud se Vaše mailová adresa nachází v naší databází tlačítko vložit se změní na odebrat.

IXBT16N170AHV Tranzistor: IGBT BiMOSFET™ 1,7kV 10A 150W TO268HV

IXBT16N170AHV Tranzistor: IGBT BiMOSFET™ 1,7kV 10A 150W TO268HV
Objednací číslo: IXBT16N170AHV
Cena včetně DPH: 502 Kč
Cena bez DPH: 414,88 Kč

Aktuální dodací termíny pro zboží IXBT16N170AHV Tranzistor: IGBT BiMOSFET™ 1,7kV 10A 150W TO268HV jsou následující:

Osobní odběr v Litoměřicích v kamenné prodejně:28. 05. 2025
Přepravní služba (GLS, PPL, Balík do ruky, Balík na poštu):29. 05. 2025
Osobní odběr v ČR (Zásilkovna, GLS parcel shop):29. 05. 2025
Osobní odběr v SK (Zásilkovna, GLS parcel shop):do 2 dnů

Uvedené termíny platí, pokud objednáte toto zboží do pondělí 9:50 hod!

Expedice: 2 dny
Centrální sklad: 18 kusů do 2 dnů
Litoměřice: 18 kusů do 2 dnů
Výdejní místo (32694):
Tranzistor: IGBT BiMOSFET™ 1,7kV 10A 150W TO268HV
VýrobceIXYS
MontážSMD
PouzdroTO268HV
Napětí hradlo - emitor±20V
Proud kolektoru10A
Impulsní proud kolektoru40A
Doba přítahu43ns
Doba odpadu370ns
Typ tranzistoruIGBT
Ztrátový výkon150W
Druh balenítuba
Vlastností polovodičových součástekvysokonapěťová
Náboj hradla65nC
TechnologieBiMOSFET™
Napětí kolektor-emitor1,7kV
Automobil Ostatní   
Balení Ostatní   
Montáž Ostatní   
Napětí 1700V   
Pouzdro Ostatní   
Proud 10A   
Typ tranzistoru IGBT   
Výkon (W) Ostatní   


Zde si můžete stáhnout soubory k produktu IXBT16N170AHV Tranzistor: IGBT BiMOSFET™ 1,7kV 10A 150W TO268HV:

1.Technická dokumentace (PDF)


Potřebujete poradit s výběrem? Zanechte nám kontakt a my se Vám ozveme.
E-mail:
Telefon:
* Odesláním dotazu souhlasíte se zasláním cenové nabídky.
Jak zpracováváme osobní údaje?
Používá se opensource systém OpenCart CZ překlad mival
VP Centrum elektronika © 2025