Zboží "SKLADEM" objednané do 12:00 odchází ještě ten samý pracovní den.

Dotaz na produkt

Jméno a Příjmení
Email
Dotaz k produktu
* Odesláním dotazu souhlasíte se zasláním cenové nabídky.
Jak zpracováváme osobní údaje?

Doporučení tohoto produktu

Vaše jméno
Váš email
Email příjemce
Zpráva
Jak zpracováváme osobní údaje?

 

Hotline

Příjem objednávek bez registrace

TEL: +420 416 731 365
MOBIL: +420 722 588 988
E-mail: info@vpcentrum.eu

Technická podpora

MOBILE: +420 722 588 988
E-mail: info@vpcentrum.eu

 

Zboží zítra doma?

Čas uzávěrky objednávek je v 12:00 hodin.

Platí pouze pro zboží s uvedenou dostupností Expedice ihned k odeslání nebo Litoměřice skladem. !!! Jen v pracovních dnech a při volbě PPL, GLS nebo výdejny Zásilkovny na dobírku nebo ONLINE platbě !!!

 

Stav Vaší objednávky
E-mail:
Č. obj:

 

Přeji si zasílat novinky emailem i
Pokud si nepřejete nadále získávat novinky z našeho webu napište svůj mail do formuláře, pokud se Vaše mailová adresa nachází v naší databází tlačítko vložit se změní na odebrat.

IXBT2N250 Tranzistor: IGBT BiMOSFET™ 2,5kV 2A 32W TO268

IXBT2N250 Tranzistor: IGBT BiMOSFET™ 2,5kV 2A 32W TO268
Objednací číslo: IXBT2N250
Cena včetně DPH: 634 Kč
Cena bez DPH: 523,97 Kč

Aktuální dodací termíny pro zboží IXBT2N250 Tranzistor: IGBT BiMOSFET™ 2,5kV 2A 32W TO268 jsou následující:

Osobní odběr v Litoměřicích v kamenné prodejně:02. 05. 2024
Přepravní služba (GLS, PPL, Balík do ruky, Balík na poštu):02. 05. 2024
Osobní odběr v ČR (Zásilkovna, GLS parcel shop):02. 05. 2024
Osobní odběr v SK (Zásilkovna, GLS parcel shop):do 2 dnů

Uvedené termíny platí, pokud objednáte toto zboží do pondělí 9:50 hod!

Expedice: 2 dny
Centrální sklad: 11 kusů do 2 dnů
Litoměřice: 11 kusů do 2 dnů
Výdejní místo (17036):
Tranzistor: IGBT BiMOSFET™ 2,5kV 2A 32W TO268
VýrobceIXYS
TechnologieBiMOSFET™
MontážSMD
PouzdroTO268
Druh balenítuba
Ztrátový výkon32W
Doba přítahu310ns
Doba odpadu252ns
Impulsní proud kolektoru13A
Typ tranzistoruIGBT
Napětí hradlo - emitor±20V
Proud kolektoru2A
Napětí kolektor-emitor2.5kV
Náboj hradla10.6nC
Vlastností polovodičových součástekvysokonapěťová
Automobil Ostatní   
Montáž Ostatní   
Napětí 2500V   
Pouzdro Ostatní   
Proud 2A   
Typ tranzistoru IGBT   
Výkon (W) Ostatní   


Zde si můžete stáhnout soubory k produktu IXBT2N250 Tranzistor: IGBT BiMOSFET™ 2,5kV 2A 32W TO268:

1.Technická dokumentace (PDF)


Potřebujete poradit s výběrem? Zanechte nám kontakt a my se Vám ozveme.
E-mail:
Telefon:
* Odesláním dotazu souhlasíte se zasláním cenové nabídky.
Jak zpracováváme osobní údaje?
Používá se opensource systém OpenCart CZ překlad mival
VP Centrum elektronika © 2024