Zboží "SKLADEM" objednané do 12:00 odchází ještě ten samý pracovní den.

Dotaz na produkt

Jméno a Příjmení
Email
Dotaz k produktu
* Odesláním dotazu souhlasíte se zasláním cenové nabídky.
Jak zpracováváme osobní údaje?

Doporučení tohoto produktu

Vaše jméno
Váš email
Email příjemce
Zpráva
Jak zpracováváme osobní údaje?

 

Hotline

Příjem objednávek bez registrace

TEL: +420 416 731 365
MOBIL: +420 722 588 988
E-mail: info@vpcentrum.eu

Technická podpora

MOBILE: +420 722 588 988
E-mail: info@vpcentrum.eu

 

Zboží zítra doma?

Čas uzávěrky objednávek je v 12:00 hodin.

Platí pouze pro zboží s uvedenou dostupností Expedice ihned k odeslání nebo Litoměřice skladem. !!! Jen v pracovních dnech a při volbě PPL, GLS nebo výdejny Zásilkovny na dobírku nebo ONLINE platbě !!!

 

Stav Vaší objednávky
E-mail:
Č. obj:

 

Přeji si zasílat novinky emailem i
Pokud si nepřejete nadále získávat novinky z našeho webu napište svůj mail do formuláře, pokud se Vaše mailová adresa nachází v naší databází tlačítko vložit se změní na odebrat.

SI1062X-T1-GE3 Tranzistor: N-MOSFET

SI1062X-T1-GE3 Tranzistor: N-MOSFET
Objednací číslo: SI1062X-T1-GE3
Cena včetně DPH: 6 Kč
Cena bez DPH: 4,96 Kč

Aktuální dodací termíny pro zboží SI1062X-T1-GE3 Tranzistor: N-MOSFET jsou následující:

Osobní odběr v Litoměřicích v kamenné prodejně:02. 05. 2024
Přepravní služba (GLS, PPL, Balík do ruky, Balík na poštu):02. 05. 2024
Osobní odběr v ČR (Zásilkovna, GLS parcel shop):02. 05. 2024
Osobní odběr v SK (Zásilkovna, GLS parcel shop):do 2 dnů

Uvedené termíny platí, pokud objednáte toto zboží do pondělí 9:50 hod!

Expedice: 2 dny
Centrální sklad: více jak 500 kusů do 2 dnů
Litoměřice: více jak 500 kusů do 2 dnů
Výdejní místo (17008):
 
Minimální objednatelné množství tohoto zboží je 5
Tranzistor: N-MOSFET TrenchFET® unipolární 20V 530mA Idm: 2A
VýrobceVISHAY
MontážSMD
PouzdroSC89
PouzdroSOT563
Druh balenípáska
Druh balenírole
Odpor v sepnutém stavu762mΩ
Typ tranzistoruN-MOSFET
Ztrátový výkon0.22W
Polarizaceunipolární
Náboj hradla2.7nC
TechnologieTrenchFET®
Druh kanáluobohacený
Napětí gate-source±8V
Impulsní proud kolektoru2A
Napětí drain-source20V
Proud drainu0.53A
Napětí Ostatní   
Pouzdro Ostatní   
Proud Ostatní   
Typ tranzistoru Ostatní   
Výkon (W) Ostatní   
Potřebujete poradit s výběrem? Zanechte nám kontakt a my se Vám ozveme.
E-mail:
Telefon:
* Odesláním dotazu souhlasíte se zasláním cenové nabídky.
Jak zpracováváme osobní údaje?
Používá se opensource systém OpenCart CZ překlad mival
VP Centrum elektronika © 2024