Zboží označené "SKLADEM" v Litoměřicích objednané do 12:00 expedujeme ještě ten samý den.

 

Dotaz na produkt

Jméno a Příjmení
Email
Dotaz k produktu
* Odesláním dotazu souhlasíte se zasláním cenové nabídky.
Jak zpracováváme osobní údaje?

Doporučení tohoto produktu

Vaše jméno
Váš email
Email příjemce
Zpráva
Jak zpracováváme osobní údaje?

 

Hotline

Příjem objednávek bez registrace

TEL: +420 416 731 365
MOBIL: +420 722 588 988
E-mail: info@vpcentrum.eu

Technická podpora

MOBILE: +420 722 588 988
E-mail: info@vpcentrum.eu

 

Zboží zítra doma?

Čas uzávěrky objednávek je v 12:00 hodin.

Platí pouze pro zboží s uvedenou dostupností Expedice ihned k odeslání nebo Litoměřice skladem. !!! Jen v pracovních dnech a při volbě PPL, GLS nebo výdejny Zásilkovny na dobírku nebo ONLINE platbě !!!

 

Stav Vaší objednávky
E-mail:
Č. obj:

 

Přeji si zasílat novinky emailem i
Pokud si nepřejete nadále získávat novinky z našeho webu napište svůj mail do formuláře, pokud se Vaše mailová adresa nachází v naší databází tlačítko vložit se změní na odebrat.

DIW120SIC023-AQ Tranzistor: N-MOSFET SiC unipolární 1,2kV 100A Idm: 260A 600W

DIW120SIC023-AQ Tranzistor: N-MOSFET SiC unipolární 1,2kV 100A Idm: 260A 600W
Objednací číslo: DIW120SIC023-AQ
Cena včetně DPH: 3 139 Kč
Cena bez DPH: 2 594,21 Kč

Aktuální dodací termíny pro zboží DIW120SIC023-AQ Tranzistor: N-MOSFET SiC unipolární 1,2kV 100A Idm: 260A 600W jsou následující:

Osobní odběr v Litoměřicích v kamenné prodejně:28. 05. 2025
Přepravní služba (GLS, PPL, Balík do ruky, Balík na poštu):29. 05. 2025
Osobní odběr v ČR (Zásilkovna, GLS parcel shop):29. 05. 2025
Osobní odběr v SK (Zásilkovna, GLS parcel shop):do 2 dnů

Uvedené termíny platí, pokud objednáte toto zboží do pondělí 9:50 hod!

Expedice: 2 dny
Centrální sklad: 30 kusů do 2 dnů
Litoměřice: 30 kusů do 2 dnů
Výdejní místo (32707):
Tranzistor: N-MOSFET SiC unipolární 1,2kV 100A Idm: 260A 600W
VýrobceDIOTEC SEMICONDUCTOR
MontážTHT
PouzdroTO247-3
Napětí drain-source1,2kV
Proud drainu100A
Odpor v sepnutém stavu29mΩ
Typ tranzistoruN-MOSFET
Použitíautomobilový průmysl
Ztrátový výkon600W
Polarizaceunipolární
Druh balenítuba
Náboj hradla45nC
TechnologieSiC
Druh kanáluobohacený
Napětí gate-source-4...18V
Impulsní proud kolektoru260A
Napětí Ostatní   
Pouzdro Ostatní   
Proud Ostatní   
Typ tranzistoru N-mosfet   
Výkon (W) Ostatní   


Zde si můžete stáhnout soubory k produktu DIW120SIC023-AQ Tranzistor: N-MOSFET SiC unipolární 1,2kV 100A Idm: 260A 600W:

1.Technická dokumentace (PDF)


Potřebujete poradit s výběrem? Zanechte nám kontakt a my se Vám ozveme.
E-mail:
Telefon:
* Odesláním dotazu souhlasíte se zasláním cenové nabídky.
Jak zpracováváme osobní údaje?
Používá se opensource systém OpenCart CZ překlad mival
VP Centrum elektronika © 2025