Váš nákupní košík je prázdný!
Dotaz na produkt
Doporučení tohoto produktu
Příjem objednávek bez registrace
+420 416 731 365 | |
+420 722 588 988 | |
info@vpcentrum.eu |
Technická podpora
+420 722 588 988 | |
info@vpcentrum.eu |
Zboží zítra doma?
Čas uzávěrky objednávek je v 12:00 hodin. Platí pouze pro zboží s uvedenou dostupností Expedice ihned k odeslání nebo Litoměřice skladem. !!! Jen v pracovních dnech a při volbě PPL, GLS nebo výdejny Zásilkovny na dobírku nebo ONLINE platbě !!! |
Aktuální dodací termíny pro zboží G2R1000MT17J Tranzistor: N-MOSFET SiC unipolární 1,7kV 4A Idm: 8A 54W jsou následující:
Osobní odběr v Litoměřicích v kamenné prodejně: | 17. 05. 2024 |
Přepravní služba (GLS, PPL, Balík do ruky, Balík na poštu): | 20. 05. 2024 |
Osobní odběr v ČR (Zásilkovna, GLS parcel shop): | 20. 05. 2024 |
Osobní odběr v SK (Zásilkovna, GLS parcel shop): | do 2 dnů |
Uvedené termíny platí, pokud objednáte toto zboží do 9:50 hod!
Expedice: | 2 dny |
Centrální sklad: | více jak 500 kusů do 2 dnů |
Litoměřice: | více jak 500 kusů do 2 dnů |
Výdejní místo (16264): | — |
Výrobce | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Montáž | SMD |
Napětí drain-source | 1.7kV |
Proud drainu | 4A |
Odpor v sepnutém stavu | 1Ω |
Typ tranzistoru | N-MOSFET |
Ztrátový výkon | 54W |
Polarizace | unipolární |
Druh balení | tuba |
Vlastností polovodičových součástek | Kelvinovy vývody |
Technologie | G2R™ |
Technologie | SiC |
Druh kanálu | obohacený |
Napětí gate-source | -5...20V |
Impulsní proud kolektoru | 8A |
Pouzdro | TO263-7 |
Napětí | Ostatní |
Pouzdro | TO263 |
Proud | 4A |
Typ tranzistoru | Ostatní |
Výkon (W) | Ostatní |
Zde si můžete stáhnout soubory k produktu G2R1000MT17J Tranzistor: N-MOSFET SiC unipolární 1,7kV 4A Idm: 8A 54W:
1. | Technická dokumentace (PDF) |