Váš nákupní košík je prázdný!
Dotaz na produkt
Doporučení tohoto produktu
Příjem objednávek bez registrace
![]() |
+420 416 731 365 |
![]() |
+420 722 588 988 |
![]() |
info@vpcentrum.eu |
Technická podpora
![]() |
+420 722 588 988 |
![]() |
info@vpcentrum.eu |
Zboží zítra doma?
Čas uzávěrky objednávek je v 12:00 hodin. Platí pouze pro zboží s uvedenou dostupností Expedice ihned k odeslání nebo Litoměřice skladem. !!! Jen v pracovních dnech a při volbě PPL, GLS nebo výdejny Zásilkovny na dobírku nebo ONLINE platbě !!! |
Aktuální dodací termíny pro zboží G3R160MT12D Tranzistor: N-MOSFET SiC unipolární 1,2kV 16A Idm: 40A 123W jsou následující:
Osobní odběr v Litoměřicích v kamenné prodejně: | 26. 05. 2025 |
Přepravní služba (GLS, PPL, Balík do ruky, Balík na poštu): | 26. 05. 2025 |
Osobní odběr v ČR (Zásilkovna, GLS parcel shop): | 26. 05. 2025 |
Osobní odběr v SK (Zásilkovna, GLS parcel shop): | do 2 dnů |
Uvedené termíny platí, pokud objednáte toto zboží do pátku 9:50 hod!
Expedice: | 2 dny |
Centrální sklad: | více jak 500 kusů do 2 dnů |
Litoměřice: | více jak 500 kusů do 2 dnů |
Výdejní místo (32652): | — |
Výrobce | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Montáž | THT |
Impulsní proud kolektoru | 40A |
Ztrátový výkon | 123W |
Náboj hradla | 28nC |
Polarizace | unipolární |
Technologie | G3R™ |
Technologie | SiC |
Proud drainu | 16A |
Druh kanálu | obohacený |
Napětí drain-source | 1.2kV |
Typ tranzistoru | N-MOSFET |
Napětí gate-source | -5...15V |
Druh balení | tuba |
Pouzdro | TO247-3 |
Odpor v sepnutém stavu | 0.16Ω |
Automobil | Ostatní |
Montáž | Ostatní |
Napětí | 1200V |
Pouzdro | Ostatní |
Proud | 40A |
Typ tranzistoru | N-mosfet |
Výkon (W) | Ostatní |
Zde si můžete stáhnout soubory k produktu G3R160MT12D Tranzistor: N-MOSFET SiC unipolární 1,2kV 16A Idm: 40A 123W:
1. | Technická dokumentace (PDF) |