Zboží "SKLADEM" objednané do 12:00 odchází ještě ten samý pracovní den.

Dotaz na produkt

Jméno a Příjmení
Email
Dotaz k produktu
* Odesláním dotazu souhlasíte se zasláním cenové nabídky.
Jak zpracováváme osobní údaje?

Doporučení tohoto produktu

Vaše jméno
Váš email
Email příjemce
Zpráva
Jak zpracováváme osobní údaje?

 

Hotline

Příjem objednávek bez registrace

TEL: +420 416 731 365
MOBIL: +420 722 588 988
E-mail: info@vpcentrum.eu

Technická podpora

MOBILE: +420 722 588 988
E-mail: info@vpcentrum.eu

 

Zboží zítra doma?

Čas uzávěrky objednávek je v 12:00 hodin.

Platí pouze pro zboží s uvedenou dostupností Expedice ihned k odeslání nebo Litoměřice skladem. !!! Jen v pracovních dnech a při volbě PPL, GLS nebo výdejny Zásilkovny na dobírku nebo ONLINE platbě !!!

 

Stav Vaší objednávky
E-mail:
Č. obj:

 

Přeji si zasílat novinky emailem i
Pokud si nepřejete nadále získávat novinky z našeho webu napište svůj mail do formuláře, pokud se Vaše mailová adresa nachází v naší databází tlačítko vložit se změní na odebrat.

G3R75MT12D Tranzistor: N-MOSFET SiC unipolární 1,2kV 29A Idm: 80A 207W

G3R75MT12D Tranzistor: N-MOSFET SiC unipolární 1,2kV 29A Idm: 80A 207W
Objednací číslo: G3R75MT12D
Cena včetně DPH: 480 Kč
Cena bez DPH: 396,69 Kč

Aktuální dodací termíny pro zboží G3R75MT12D Tranzistor: N-MOSFET SiC unipolární 1,2kV 29A Idm: 80A 207W jsou následující:

Osobní odběr v Litoměřicích v kamenné prodejně:02. 05. 2024
Přepravní služba (GLS, PPL, Balík do ruky, Balík na poštu):02. 05. 2024
Osobní odběr v ČR (Zásilkovna, GLS parcel shop):02. 05. 2024
Osobní odběr v SK (Zásilkovna, GLS parcel shop):do 2 dnů

Uvedené termíny platí, pokud objednáte toto zboží do pondělí 9:50 hod!

Expedice: 2 dny
Centrální sklad: 281 kusů do 2 dnů
Litoměřice: 281 kusů do 2 dnů
Výdejní místo (16993):
Tranzistor: N-MOSFET SiC unipolární 1,2kV 29A Idm: 80A 207W
VýrobceGeneSiC SEMICONDUCTOR
Druh balenítuba
Odpor v sepnutém stavu75mΩ
Proud drainu29A
Náboj hradla54nC
PouzdroTO247-3
MontážTHT
Polarizaceunipolární
Druh kanáluobohacený
TechnologieG3R™
TechnologieSiC
Napětí gate-source-5...15V
Ztrátový výkon207W
Impulsní proud kolektoru80A
Typ tranzistoruN-MOSFET
Napětí drain-source1.2kV
Automobil Ostatní   
Montáž Ostatní   
Napětí 1200V   
Pouzdro Ostatní   
Proud 80A   
Typ tranzistoru Ostatní   
Výkon (W) Ostatní   


Zde si můžete stáhnout soubory k produktu G3R75MT12D Tranzistor: N-MOSFET SiC unipolární 1,2kV 29A Idm: 80A 207W:

1.Technická dokumentace (PDF)


Podobné zboží jako G3R75MT12D Tranzistor: N-MOSFET SiC unipolární 1,2kV 29A Idm: 80A 207W
Potřebujete poradit s výběrem? Zanechte nám kontakt a my se Vám ozveme.
E-mail:
Telefon:
* Odesláním dotazu souhlasíte se zasláním cenové nabídky.
Jak zpracováváme osobní údaje?
Používá se opensource systém OpenCart CZ překlad mival
VP Centrum elektronika © 2024