Váš nákupní košík je prázdný!
Zboží označené "SKLADEM" v Litoměřicích objednané do 12:00 expedujeme ještě ten samý den.
Dotaz na produkt
Doporučení tohoto produktu
- Akční nabídka
- Audio - Video
- Auto hifi
- Autodoplňky
- Baterie a příslušenství
- Hračky
- Kabely
- Konektory a redukce
- Mechanika - automatizace
- Měniče napětí
- Měřící technika
- Nářadí a sklad
- Počítačové příslušenství
- Pro dům a zahradu
- Pájecí technika
- Solární technika
- Součástky, náhradní díly
- Ventilátory
- Vypínače, přepínače, tlačítka
- Zdroje napájení
Hotline
Příjem objednávek bez registrace
 |
+420 416 731 365 |
 |
+420 722 588 988 |
 |
info@vpcentrum.eu |
Technická podpora
|
|
+420 722 588 988 |
|
|
info@vpcentrum.eu |
Zboží zítra doma?
|
Čas uzávěrky objednávek je v 12:00 hodin. Platí pouze pro zboží s uvedenou dostupností Expedice ihned k odeslání nebo Litoměřice skladem. !!! Jen v pracovních dnech a při volbě PPL, GLS nebo výdejny Zásilkovny na dobírku nebo ONLINE platbě !!! |
Poslední objednávky
Přeji si zasílat novinky emailem i
Pokud si nepřejete nadále získávat novinky z našeho webu napište svůj mail do formuláře, pokud se Vaše mailová adresa nachází v naší databází tlačítko vložit se změní na odebrat.
GAN041-650WSBQ Tranzistor: N-JFET/N-MOSFET GaN unipolární kaskodový 650V
Objednací číslo: GAN041-650WSBQ
Cena včetně DPH: 719 Kč
Cena bez DPH: 594,21 Kč
Cena bez DPH: 594,21 Kč
Aktuální dodací termíny pro zboží GAN041-650WSBQ Tranzistor: N-JFET/N-MOSFET GaN unipolární kaskodový 650V jsou následující:
| Osobní odběr v Litoměřicích v kamenné prodejně: | 30. 05. 2025 |
| Přepravní služba (GLS, PPL, Balík do ruky, Balík na poštu): | 02. 06. 2025 |
| Osobní odběr v ČR (Zásilkovna, GLS parcel shop): | 02. 06. 2025 |
| Osobní odběr v SK (Zásilkovna, GLS parcel shop): | do 2 dnů |
Uvedené termíny platí, pokud objednáte toto zboží do středy 9:50 hod!
| Expedice: | 2 dny |
| Centrální sklad: | 17 kusů do 2 dnů |
| Litoměřice: | 17 kusů do 2 dnů |
| Výdejní místo (32669): | — |
Tranzistor: N-JFET/N-MOSFET GaN unipolární HEMT,kaskodový
| Výrobce | NEXPERIA |
| Napětí drain-source | 650V |
| Proud drainu | 33,4A |
| Odpor v sepnutém stavu | 35mΩ |
| Typ tranzistoru | N-JFET/N-MOSFET |
| Ztrátový výkon | 187W |
| Polarizace | unipolární |
| Druh balení | tuba |
| Náboj hradla | 22nC |
| Technologie | GaN |
| Druh tranzistoru | HEMT |
| Druh tranzistoru | kaskodový |
| Napětí gate-source | ±20V |
| Impulsní proud kolektoru | 240A |
| Montáž | THT |
| Kryt | SOT429 |
| Kryt | TO247 |
| Balení | Ostatní |
| Napětí | Ostatní |
| Pouzdro | Ostatní |
| Proud | Ostatní |
| Typ tranzistoru | N-JFET |
| Výkon (W) | Ostatní |
Zde si můžete stáhnout soubory k produktu GAN041-650WSBQ Tranzistor: N-JFET/N-MOSFET GaN unipolární kaskodový 650V:
| 1. | Technická dokumentace (PDF) |
Podobné zboží jako GAN041-650WSBQ Tranzistor: N-JFET/N-MOSFET GaN unipolární kaskodový 650V
Akční nabídka
Potřebujete poradit s výběrem? Zanechte nám kontakt a my se Vám ozveme.