Zboží "SKLADEM" objednané do 12:00 odchází ještě ten samý pracovní den.

Dotaz na produkt

Jméno a Příjmení
Email
Dotaz k produktu
* Odesláním dotazu souhlasíte se zasláním cenové nabídky.
Jak zpracováváme osobní údaje?

Doporučení tohoto produktu

Vaše jméno
Váš email
Email příjemce
Zpráva
Jak zpracováváme osobní údaje?

 

Hotline

Příjem objednávek bez registrace

TEL: +420 416 731 365
MOBIL: +420 722 588 988
E-mail: info@vpcentrum.eu

Technická podpora

MOBILE: +420 722 588 988
E-mail: info@vpcentrum.eu

 

Zboží zítra doma?

Čas uzávěrky objednávek je v 12:00 hodin.

Platí pouze pro zboží s uvedenou dostupností Expedice ihned k odeslání nebo Litoměřice skladem. !!! Jen v pracovních dnech a při volbě PPL, GLS nebo výdejny Zásilkovny na dobírku nebo ONLINE platbě !!!

 

Stav Vaší objednávky
E-mail:
Č. obj:

 

Přeji si zasílat novinky emailem i
Pokud si nepřejete nadále získávat novinky z našeho webu napište svůj mail do formuláře, pokud se Vaše mailová adresa nachází v naší databází tlačítko vložit se změní na odebrat.

NSF040120L3A0Q Tranzistor: N-MOSFET SiC unipolární 1,2kV 46A Idm: 160A 313W

NSF040120L3A0Q Tranzistor: N-MOSFET SiC unipolární 1,2kV 46A Idm: 160A 313W
Objednací číslo: NSF040120L3A0Q
Cena včetně DPH: 692 Kč
Cena bez DPH: 571,90 Kč

Aktuální dodací termíny pro zboží NSF040120L3A0Q Tranzistor: N-MOSFET SiC unipolární 1,2kV 46A Idm: 160A 313W jsou následující:

Osobní odběr v Litoměřicích v kamenné prodejně:02. 05. 2024
Přepravní služba (GLS, PPL, Balík do ruky, Balík na poštu):02. 05. 2024
Osobní odběr v ČR (Zásilkovna, GLS parcel shop):02. 05. 2024
Osobní odběr v SK (Zásilkovna, GLS parcel shop):do 2 dnů

Uvedené termíny platí, pokud objednáte toto zboží do pondělí 9:50 hod!

Expedice: 2 dny
Centrální sklad: 30 kusů do 2 dnů
Litoměřice: 30 kusů do 2 dnů
Výdejní místo (16993):
Tranzistor: N-MOSFET SiC unipolární 1,2kV 46A Idm: 160A 313W
VýrobceNEXPERIA
PouzdroTO247-3
Druh balenítuba
Ztrátový výkon313W
Náboj hradla95nC
Polarizaceunipolární
TechnologieSiC
Proud drainu46A
Druh kanáluobohacený
Napětí drain-source1.2kV
Typ tranzistoruN-MOSFET
Napětí gate-source-10...22V
Odpor v sepnutém stavu60mΩ
MontážTHT
Impulsní proud kolektoru160A
Napětí Ostatní   
Pouzdro Ostatní   
Proud Ostatní   
Typ tranzistoru Ostatní   
Výkon (W) Ostatní   


Zde si můžete stáhnout soubory k produktu NSF040120L3A0Q Tranzistor: N-MOSFET SiC unipolární 1,2kV 46A Idm: 160A 313W:

1.Technická dokumentace (PDF)


Potřebujete poradit s výběrem? Zanechte nám kontakt a my se Vám ozveme.
E-mail:
Telefon:
* Odesláním dotazu souhlasíte se zasláním cenové nabídky.
Jak zpracováváme osobní údaje?
Používá se opensource systém OpenCart CZ překlad mival
VP Centrum elektronika © 2024