Váš nákupní košík je prázdný!
Dotaz na produkt
Doporučení tohoto produktu
Příjem objednávek bez registrace
![]() |
+420 416 731 365 |
![]() |
+420 722 588 988 |
![]() |
info@vpcentrum.eu |
Technická podpora
![]() |
+420 722 588 988 |
![]() |
info@vpcentrum.eu |
Zboží zítra doma?
Čas uzávěrky objednávek je v 12:00 hodin. Platí pouze pro zboží s uvedenou dostupností Expedice ihned k odeslání nebo Litoměřice skladem. !!! Jen v pracovních dnech a při volbě PPL, GLS nebo výdejny Zásilkovny na dobírku nebo ONLINE platbě !!! |
Aktuální dodací termíny pro zboží DMG6602SVT-7 Tranzistor: N/P-MOSFET unipolární -30/30V -3,4/2,8A 1,112W jsou následující:
Osobní odběr v Litoměřicích v kamenné prodejně: | 26. 05. 2025 |
Přepravní služba (GLS, PPL, Balík do ruky, Balík na poštu): | 26. 05. 2025 |
Osobní odběr v ČR (Zásilkovna, GLS parcel shop): | 26. 05. 2025 |
Osobní odběr v SK (Zásilkovna, GLS parcel shop): | do 2 dnů |
Uvedené termíny platí, pokud objednáte toto zboží do 9:50 hod!
Expedice: | 2 dny |
Centrální sklad: | více jak 500 kusů do 2 dnů |
Litoměřice: | více jak 500 kusů do 2 dnů |
Výdejní místo (32652): | — |
Výrobce | DIODES INCORPORATED |
Montáž | SMD |
Pouzdro | TSOT26 |
Ztrátový výkon | 1.112W |
Polarizace | unipolární |
Proud drainu | 2.8/-3.4A |
Druh kanálu | obohacený |
Napětí drain-source | 30/-30V |
Druh tranzistoru | komplementární |
Typ tranzistoru | N/P-MOSFET |
Druh balení | páska |
Druh balení | role |
Odpor v sepnutém stavu | 60/95mΩ |
Napětí gate-source | ±20V |
Napětí | Ostatní |
Pouzdro | Ostatní |
Proud | Ostatní |
Typ tranzistoru | P-mosfet |
Výkon (W) | Ostatní |
Zde si můžete stáhnout soubory k produktu DMG6602SVT-7 Tranzistor: N/P-MOSFET unipolární -30/30V -3,4/2,8A 1,112W:
1. | Technická dokumentace (PDF) |